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1.3μm InGaAsp半导体激光器广泛用于光纤通信系统中。为了扩大其至核环境和外层空间，该文对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为0.4-1.80MeV范围内，注量小于2×10<16>cm<-2>条件下进行辐照，对InGaAsP半导体激光器的佃出笥能影响是非致命的。辐照注量达1×10<16>cm<-2>时，激光器的输出功率呈数量级下降，而镀以Y<,2膜的半导体激光器的抗辐照性能得到提高。