【摘 要】
：
利用0.35?m标准CMOS工艺实现了双光电探测器和前置跨阻放大电路TIA、限幅放大电路LA的单片集成。DPD探测器通过屏蔽衬底载流子的扩散抑制了响应电流的拖尾现象从而提高了带宽。零极点补偿结构跨阻放大器通过在反馈网络引入零极点有效地消除了输入电容对放大器带宽的影响，突破了传统TIA直接的带宽-增益折中关系。该跨阻放大器利用零点和极点对消技术隔离了输入寄生电容对带宽的影响。模拟结果显示跨阻放大器在
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
【出 处】
：
第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
论文部分内容阅读
利用0.35?m标准CMOS工艺实现了双光电探测器和前置跨阻放大电路TIA、限幅放大电路LA的单片集成。DPD探测器通过屏蔽衬底载流子的扩散抑制了响应电流的拖尾现象从而提高了带宽。零极点补偿结构跨阻放大器通过在反馈网络引入零极点有效地消除了输入电容对放大器带宽的影响，突破了传统TIA直接的带宽-增益折中关系。该跨阻放大器利用零点和极点对消技术隔离了输入寄生电容对带宽的影响。模拟结果显示跨阻放大器在1.5pF输入电容下带宽为1.9GHz，增益为65dBΩ，增益带宽积达到了3.4 THz·Ω，高于传统跨阻放大器。当输入电容增加到2pF时，带宽只减小了300MHz，验证了所设计的跨阻放大器具有很好的电容隔离功能。跨阻放大器输入电阻和等效平均输入电流噪声谱密度分别为50 Ω和9.7pA/Hz。芯片工作电压3.3V，功耗为17mW。测试结果表明TIA带宽为1.12GHz，跨阻增益为61 dBΩ。单片集成探测器跨阻放大电路可工作在1Gb/s速率下,波形峰-峰值为2.2mV。
其他文献
致密砂岩背景下的优质储层（包括异常高孔渗带和异常高孔隙带）是气层高产的必要条件。本文综合利用岩石薄片鉴定、扫描电镜、粘土矿物X 衍射资料、流体包裹体等资料并结合试气结果，对大牛地上古生界六套含气层系的优质储层控制因素进行了分析。结果表明：绿泥石包壳、薄的石英次生加大边、早期的轻质油充注和普遍发育的异常高古地层压力是形成异常高孔渗带的主要因素；各种溶蚀作用形成的次生孔隙，则是各段异常高孔隙带形成的主
运用核磁共振测试技术对须家河和苏里格低渗砂岩储层岩心的可动流体饱和度与可动水饱和度进行实验测试，将测试结果与对应矿场的含气、水饱和度及气井开发动态进行比较，发现实验测试的储层气、水饱和度与对应的矿场研究资料基本一致，同时发现当可动水饱和度大于6％时，气井生产过程中基本是气、水同产，而且可动水饱和度越大，产水越严重；当可动水饱和度小于6％，气井开发过程中基本不产水。这一研究结果表明，6％的可动水饱和
大港油田循环注气开发作为国内最早的凝析气藏循环注气开发试验项目，于1995年正式投入现场运行，按方案设计循环注气7年然后衰竭生产8年，共生产15年，方案预计凝析油最终采收率为59.48％，为衰竭式开发凝析油采收率34.90％的1.72倍。该项目于1995年月正式开发现场实施，至今已经经历15年，对其方案整体进行总结经验教训，评价方案效果有利于指导类似析气藏开发与实践。
千米桥潜山凝析气藏属低孔、低渗、高温、高压中等含量的高饱和凝析气藏，含油气层为奥陶系峰峰组和上马家沟组。该气藏经历十余年的勘探开发，共完钻了15口井，每口井均见到了油气显示，试油仅9口井获得工业油气流，完钻的所有井都不同程度产出地层水，除千16-16井出现有多种水型以外，其它井的地层水都是CaCl2水型。千16-16井在大型酸压投产后有两种不同沉积环境的地层水（CaCl2和NaHCO3型）交替出现
使用吸附剂脱水是目前工业生产过程中广泛使用的方法，其中氧化铝、硅胶和分子筛等都是常用的吸附剂。与活性氧化铝、硅胶相比，分子筛具有选择吸附性，能按照物质的分子大小进行选择吸附，由于一定型号分子筛孔径大小一样，只有比分子筛孔径小的分子才能被吸附在晶体内，通过选用适当型号的分子筛，就可达到选择性地吸附水，减少甚至消除其它气体的共吸附作用，留出更多空间，从而提高了吸水能力。由于分子筛随温度的升高吸附能力降
本文在充分掌握工区内烃源岩的演化历史和构造发展史基础上，确定油气生成时间以及圈闭构造形成时间，结合对伊朗三区内已钻圈闭的含油气特征，分析了工区内的油气成藏过程，确定了伊朗三区内南部逆冲群的后缘带内的圈闭以聚集油为主，逆冲群中带以聚集气为主，而逆冲群峰带内的圈闭保存不理想，因此勘探前景也不理想。
随我国天然气工业的发展，探明的低渗致密砂岩气藏类型的天然气地质储量越来越多，占总探明地质储量的比重越来越大，据有关报导，仅在鄂尔多斯盆地，中石油和中石化两大石油公司已经探明的上古生界低渗致密砂岩气藏地质储量已逾万亿立方米，近期延长石油集团在盆地东南部延长地区的上古生界天然气勘探也也获得了重大突破，预计该盆地上古生界低渗致密类型天然气储量将呈现继续增长趋势。尽管低渗致密砂岩气藏探明储量规模巨大，但无
随着FPGA(field-programmable gate array)的广泛应用，软件硬件协同设计越来越多，系统的规模和复杂度也越来越高。设计人员进行行为级或算法级描述，由高层次综合ESL(electronic-system-level) 工具从C/C++等高级语言产生高质量的VHDL RTL代码具有重要意义。不同于软件的是FPGA可用资源有限，高级语言用于硬件设计无法容易的指定数据通路和功能
本文首先简要介绍OVM(Open Verification Methodology)验证方法学的特点，并且结合Mentor Graphic公司的验证工具Questa,详细介绍了OVM和Questa软件在实际项目EPA(Ethernet for Plant Automation)芯片设计中的具体应用。通过OVM对EPA芯片设计进行仿真验证的过程表明：OVM易学易用，能够很好地对数字集成电路的功能进行
本文研究了高温AlN缓冲层厚度对 Si(111)衬底上GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量的影响，实验采用MOCVD方法在Si(111)衬底上外延生长A、B、C、D、E五个样品，其中高温AlN缓冲层的厚度依次是50、100、150、200、250nm，GaN外延层的厚度都是1μm。使用光学显微镜、AFM和XRD等仪器对样品进行测试分析，研究结果表明高温AlN缓冲层的厚度对GaN薄膜外延层的表面形貌、