论文部分内容阅读
31该文采用Ｃ’＋〉离子束注入单晶Ｓｉ（１００），经高温真空退火处理的方法制备晶态ＳｉＣ薄层。注入能量和注入剂量分别为１０ｋｅＶ，５×１０〈’１６〉ｉｏｎｓ／ｃｍ〈’２〉，和３５ｋｅＶ，３×１０〈’１７〉ｉｏｎｓ／ｃｍ〈’２〉，在真空中（２．７ｍＰａ），，经７００℃￣１０５０℃退火１小时，利用ＩＲ，ＸＰＳ，ＸＲＤ，ＴＥＭ，ＳＥＭ等分析方法，研究形成晶态ＳｉＣ薄层的最佳晶化温度，层中Ｓｉ与Ｃ的化学态及结构特征等。给出了一些有意义的结果。