西安地区地表和地下水中天然铀的调查分析

来源 :第11届全国核电子学与核探测技术学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xjp_djx
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
报道了西安地区部分代表性地表和地下水中天然放射性核素铀含量调查结果.布采样点62个,共采集水样94个,其中采集黑河水库水样12个,灞河水样42个,地热水样20个,自来水样20个.分析结果表明,各类天然水体中铀浓度属正常本底水平.
其他文献
就军用核设施环境放射性监测工作中涉及到的一些有别于民用核设施的关键性技术做了综合性论述,对复杂环境条件下的放射性监测技术进行了探讨.
环境γ辐射监测系统主要目的是用来连续监测记录核电厂(或核设施)周围环境的γ辐射水平及雨量.介绍了BH3209型环境γ辐射监测系统组成、重要功能、特点、主要试验结果.
用激光时间分辨荧光技术,采用标准加入法,对市售瓶装矿泉水进行了调查分析.共采集了17个样品.使用LMA-3型激光微量物质分析仪对样品进行直接测量,给出了市售瓶装矿泉水中天然铀的含量.其结果表明,市售瓶装矿泉水中天然放射性核素铀浓度属于正常本底水平.
讨论了水平极化电磁波在地面的反射,给出了高空电磁脉冲频谱分析及其入射到土壤表面时在地面上方形成的电场.不仅从理论上获得了有关的计算公式,还用Matlab软件画出了详实的曲线图,所得结果可供有关人员参考.
讲述了HSP2125型8路输入/输出信号处理电路的γ总剂量辐照效应的试验方法,并针对其内部电路组成情况,对试验结果进行了分析.
近年来高能中子(14MeV)对计算机存储器芯片的单粒子效应引起了广泛的注意.本文简要报告了FLASHROM存储器芯片的高能中子单粒子效应试验方法和结果.
提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法.在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理.给出了大规模集成电路:静态随机存取存储器(SRAM)、电擦除电编程只读存储器(EEPROM)、闪速存储器(FLASH ROM)和微处理器(CPU)的Coγ总剂量效应实验的结果.
介绍了分别在干氧和氢氧合成两种不同工艺及不同栅氧层厚度情况下,CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律.并通过对其单管特性及内部单元电路辐照变化的分析比较,探讨了栅氧层厚度的变化与运放电路辐照损伤之间的相互依赖关系.结果显示,适当地减薄栅氧层厚度,可相应地减少辐照感生氧化物电荷和界面态引起的跨导衰减,从而使CMOS运放电路的抗辐射特性得到明显的改善.
叙述CFBR-Ⅱ脉冲堆上的SZJ-2型BF计数管在强脉冲辐射场中辐照后出现效率下降,并对出现的问题原因进行了技术探讨,为BF计数管的改进和使用提供技术参考.
用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转现象进行了计算.力图从理论上建立分析器件SEU的可靠手段.对MOSFET漏区模拟得到结果与电荷漏斗模型相吻合,表明了所建立的物理模型的正确性.通过输入不同粒子的LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LET值的关系曲线,并给出临界电荷.