【摘 要】
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在这个研究中, 我们采用并五苯作有源层、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）做栅绝缘层，利用全蒸镀法制备了有机薄膜场效应晶体管。源极和漏极采用氧化铟锡，半导体层和绝缘层分别由并五苯和
【机 构】
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吉林大学微电子与固体电子学学院,吉林长春,130023
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在这个研究中, 我们采用并五苯作有源层、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）做栅绝缘层，利用全蒸镀法制备了有机薄膜场效应晶体管。源极和漏极采用氧化铟锡，半导体层和绝缘层分别由并五苯和PMMA充当，栅极采用铝电极。利用光刻制备沟道长度为20 微米的源极和漏极后，依次真空沉积并五苯和PMMA和铝电极。得到器件的电子迁移率为0.167cm2/Vs。
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