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本文提出溅射一种三元N-Si-Nb薄膜作为表面传导电子发射的导电薄膜，通过改变溅射的工艺参数能很好地控制导电薄膜的电阻，有利于获得满足后续电形成工艺要求的导电薄膜。实验结果表明，N-Si-Nb薄膜是一种潜在的表面传导电子发射导电薄膜。
基于N-Si-Nb薄膜的表面传导电子发射
【摘 要】
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本文提出溅射一种三元N-Si-Nb薄膜作为表面传导电子发射的导电薄膜，通过改变溅射的工艺参数能很好地控制导电薄膜的电阻，有利于获得满足后续电形成工艺要求的导电薄膜。实验结
【机 构】
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西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710049
【出 处】
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2010中国平板显示学术会议
【发表日期】
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2010年期
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