【摘 要】
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本文运用Medici二维器件仿真软件改进了仿真电离辐射总剂量效应的二维数值法,仿真模拟了NMOSFET在不同总剂量下Ⅰ-Ⅴ转移特性曲线和阈值电压的变化以及器件结构尺寸对总剂量
【机 构】
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华南理工大学微电子系,广州,510641
【出 处】
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2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会
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本文运用Medici二维器件仿真软件改进了仿真电离辐射总剂量效应的二维数值法,仿真模拟了NMOSFET在不同总剂量下Ⅰ-Ⅴ转移特性曲线和阈值电压的变化以及器件结构尺寸对总剂量辐射效应的影响.仿真结果表明一定总剂量辐射条件下,NMOSFET较敏感的两个结构尺寸中,栅氧化层对器件的总剂量辐射效应的影响最大,沟道浓度对其没有影响.
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