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该文通过对不同温度下和不同共振自屏因子下的中子截面的计算比较，及对一组含铀临界装置的中子有效增殖因于和反应率的计算比较，研究了在这些装置中中于参数的温度效应和共振自屏效应对积分实验的影响，分析表明：对以快中子为主要成分的装置，温度效应的影响很小，基本可以忽略，而共振自屏效应的影响一般不能忽略。
临界装置中温度效应和共振自屏效应对积分检验的影响
【摘 要】
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该文通过对不同温度下和不同共振自屏因子下的中子截面的计算比较，及对一组含铀临界装置的中子有效增殖因于和反应率的计算比较，研究了在这些装置中中于参数的温度效应和共振自
【机 构】
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应用物理与计算数学研究所
【出 处】
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中国核学会第七届反应堆数值计算与粒子输运学术交流会
【发表日期】
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1998年期
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