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高质量的叠层结构量子点有源区材料是制作高性能量子点激光器的关键。本文报告采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备高质量InAs/InGaAsP/InP叠层结构量子点。通过采用两步盖层生长InGaAsP隔离层，以及对InGaAsP波导层界面的优化，我们获得了高性能的叠层结构量子点有源区。从单层到七层，量子点的光致荧光强度随层数增加而增强，并且峰值半宽略有减小。