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通过隧穿势垒,磁性金属可在无磁场及室温条件下实现对半导体的自旋极化电子注入,从而实现半导体对电子自旋的可控.因此,磁性金属-半导体异质结相关性质的研究已成为半导体领域的研究热点.鉴于IV-VI族半导体在提高自旋注入效率上具有潜在的优势,本课题组选取了典型磁性过渡族金属Mn,对其在PbTe(111)表面上的生长行为用扫描隧道显微镜(STM)和光电子能谱进行了系统研究,并辅以了第一性原理的理论计算.