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涂层导体用反应磁控溅射外延生长Gd2Zr2O7缓冲层
【机 构】
:
上海大学物理系,上海 200444
【出 处】
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第十一届全国超导学术研讨会暨超导发现100周年纪念大会
【发表日期】
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2011年期
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