【摘 要】
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采用脉冲电子束沉积技术在Si(100)衬底上生长LaCaMnO薄膜.通过改变薄膜的生长温度,得到了不同颗粒度的LaCaMnO薄膜.利用扫描电镜观察获得LaCaMnO薄膜的表面形貌,并采用表面形貌仪测量了薄膜的表面粗糙度.采用标准的直流四引线法测量薄膜的电阻-温度特性.结果发现,随着薄膜生长温度升高,薄膜的颗粒变大,金属-绝缘体转变温度Tp升高.发现颗粒晶界对庞磁电阻材料的输运特性具有重要影响.
【机 构】
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中国科学院物理研究所 北京有色金属研究总院
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采用脉冲电子束沉积技术在Si(100)衬底上生长La<,0.67>Ca<,0.33>MnO<,3>薄膜.通过改变薄膜的生长温度,得到了不同颗粒度的La<,0.67>Ca<,0.33>MnO<,3>薄膜.利用扫描电镜观察获得La<,0.67>Ca<,0.33>MnO<,3>薄膜的表面形貌,并采用表面形貌仪测量了薄膜的表面粗糙度.采用标准的直流四引线法测量薄膜的电阻-温度特性.结果发现,随着薄膜生长温度升高,薄膜的颗粒变大,金属-绝缘体转变温度Tp升高.发现颗粒晶界对庞磁电阻材料的输运特性具有重要影响.
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