论文部分内容阅读
薄膜膜的结晶质量对光电器件的性能有着重要影响。然而，由于晶格失配和不同的热膨胀系数，难以通过直接沉积的方法在玻璃，蓝宝石，氧化铝和硅衬底上制备高质量的β-Ga2O3薄膜。为了改善膜结晶质量，引入了同质缓冲层来减小膜和基板之间的晶格失配。
同质缓冲层对磁控溅射Ga2O3薄膜性能的影响
【摘 要】
：
薄膜膜的结晶质量对光电器件的性能有着重要影响。然而，由于晶格失配和不同的热膨胀系数，难以通过直接沉积的方法在玻璃，蓝宝石，氧化铝和硅衬底上制备高质量的β-Ga2O3薄膜。为了改善膜结晶质量，引入了同质缓冲层来减小膜和基板之间的晶格失配。
【机 构】
：
上海大学 材料工程与工程学院
【出 处】
：
第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
：
2016年5期
其他文献
TiAl合金的高化学活性，与常用的耐火材料会发生不同程度的化学反应，限制其定向凝固铸件的生产应用。本文以自合成的BaZrO3粉料作为型壳面层耐火材料，钇溶胶为粘结剂，制备BaZrO3基复合型壳。
CdZnTe(CZT)晶体是一种性能优异的室温半导体辐射探测器材料，具有高的电阻率、禁带宽度大、平均原子序数高、吸收系数大的特点.CZT探测器在核辐射检测方面已经被广泛运用于安全检查，环境监测、天体物理以及医学影像等领域.
超大规模集成电路工艺集成度的不断提高，要求栅介质的厚度越来越薄.由栅氧化层的隧穿效应而产生的漏电流等静态功耗随之成指数形式增长，传统硅集成电路工艺中的SiO2栅介质日益趋于极限，迫切需要寻找新的高k栅介质来取代SiO2.
有机薄膜晶体管(OTFT)与传统晶体管相比具有低成本、可弯曲等优点，在大面积柔性显示、传感器等领域具有广阔的应用前景。基于N型晶体管和P型晶体管共同构成的互补型集成电路(CMOS)是构成大规模集成电路芯片的核心。
稀土元素类选择性辖射器，由于其自身的选择性发射特性而备受关注，然而实验证明块状稀土氧化物的热膨胀系数大，抗热冲击能力差，开发稀土类薄膜型辐射体以替代稀土氧化物陶瓷块体，是改善其热稳定性和抗热冲击能力的一种途径。
近年来，有机金属卤化物(CH3NH3PbI3)钙钛矿材料因其可见光吸收系数高、载流子迁移率高且制备成本低廉等优点，成为了光伏领域的研究热点。在过去的四年中，钙钛矿太阳能电池的光电转换效率大幅提升，已经突破了20％。
硅基光子学与传统硅基微电子工艺兼容，被认为是实现光互联和光电集成的一种可能路径.然而硅为间接带隙半导体，无法高效发光.GaN基材料为第三代半导体，发光波长涵盖可见光波段，具有发光效率高、化学稳定性好等优点.
CdZnTe是一种性能优异的直接禁带半导体材料,具有直接跃迁能带结构的功能,改变Zn的百分比x,会有不同的用途。它具有如下优异性能：对X、γ射线具有较高的探测效率,能量分辨率很高,在室温下就可以正常工作。
传统透明导电薄膜氧化铟锡(ITO)由于In的有限储藏量和陶瓷脆性使其在新一代柔性光电器件中的应用受到极大的限制。基于金属纳米线构建的透明导电薄膜不仅具有优异的导电性能和极高的光学透过率，液相低温工艺与低熔点柔性衬底相容，还具有良好的机械弯曲及拉伸特性，而成为有望取代ITO的优异电极材料之一。