高离化脉冲磁控放电与溅射技术

来源 :2009年薄膜技术高峰论坛暨广东省真空学会学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:king_casper
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本文介绍了HIPMS技术放电等离子体的特点,即等离子体密度高、溅射材料离化率高、离子平均电荷数高、成膜离子比例大、离子能量高等.HPPMS技术制备的薄膜由于受到高能离子轰击,更加致密、缺陷少、表面光滑,进而表现出较高的硬度、结合力、耐磨性、耐腐蚀性,以及抗高温氧化性能.作者以TiN薄膜的沉积为例,利用这种电源极易获得颜色金黄且膜基结合力很高的薄膜,工艺范围很宽,即使对本实验室所使用的小圆形靶,也非常容易得性能优异的膜层。
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