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SiGe HBT缓变基区的MBE生长
SiGe HBT缓变基区的MBE生长
来源 :第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lookingintheeye
【摘 要】
:
利用分子束外延(MBE)方法,生长SiGe HBT的缓变基区.Ge的组分从集电极一侧线性缓变地向发射极一侧降低,由生长速率精确控制.
【作 者】
:
张静
李开成
易强
凡则锐
【机 构】
:
信息产业部电子二十四所,模拟集成电路国家重点实验室(重庆)
【出 处】
:
第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
:
2001年期
【关键词】
:
分子束外延
线性缓变
生长速率
精确控制
集电极
发射极
组分
方法
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利用分子束外延(MBE)方法,生长SiGe HBT的缓变基区.Ge的组分从集电极一侧线性缓变地向发射极一侧降低,由生长速率精确控制.
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