【摘 要】
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实验中采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法,以GeF4+Si2H6+H2作为反应气体,改变GeFe气体流量,在250℃～300℃的普通玻璃衬底上制备出不同Ge含量的μc-SiGe材料.通过Raman和XRD研究材料的结晶性,CPM法测试材料的光学吸收特性,并且结合光/暗电导等测试结果综合分析了材料的结构特性、光学特性、电学特性等与GeF4气体流量之间的关系.
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071
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实验中采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法,以GeF4+Si2H6+H2作为反应气体,改变GeFe气体流量,在250℃～300℃的普通玻璃衬底上制备出不同Ge含量的μc-SiGe材料.通过Raman和XRD研究材料的结晶性,CPM法测试材料的光学吸收特性,并且结合光/暗电导等测试结果综合分析了材料的结构特性、光学特性、电学特性等与GeF4气体流量之间的关系.
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