【摘 要】
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本文研究了采用MOCVD在c面蓝宝石上保持垒层温度固定阱层生长温度不同时生长InGaN/GaN多量子阱结构。通过高分辨XRD对样品进行w-2theta扫描并对扫描结果进行拟合,得到量了阱
【机 构】
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南京大学电子科学与工程学院,江苏省光电功能材料重点实验室,南京 210093
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文研究了采用MOCVD在c面蓝宝石上保持垒层温度固定阱层生长温度不同时生长InGaN/GaN多量子阱结构。通过高分辨XRD对样品进行w-2theta扫描并对扫描结果进行拟合,得到量了阱结构每一层厚度和In组分:采用AFM,CL,SEM等观察样品表面形貌,并测得样品的PL谱;研究发现,随着样品阱层生长温度的降低,量子阱中In含量增加:同时样品的发光波长红移,发光强度降低。
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