论文部分内容阅读
本文通过大量的实验,摸索到了一种采用感应耦合等离子体刻蚀(inductivelycoupledplasma,ICP)的工艺条件实现SiC材料腐蚀,腐蚀后样片的表面粗糙度达到1nm以下,腐蚀速率超过200nm/min.采用该工艺条件制作的SiCMESFET样管,跨导最大达到25ms/mm.
ICP刻蚀在SiC MESFET中的应用
【摘 要】
：
本文通过大量的实验,摸索到了一种采用感应耦合等离子体刻蚀(inductivelycoupledplasma,ICP)的工艺条件实现SiC材料腐蚀,腐蚀后样片的表面粗糙度达到1nm以下,腐蚀速率超过200
【机 构】
：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄,050051
【出 处】
：
第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
：
2005年期
其他文献
目的 观察改良心包斜窦路径在新生儿完全性肺静脉异位引流(total anomalous pulmonary venous connection,TAPVC)矫治术中的应用及效果评价.方法 回顾性分析2005年7月至2015
1 临床资料患者男性,22岁,战士。2005年3月12日在伞降着陆时落在民房后又坠到地面,右足、臀部、右手先后触地。当即感腰部疼痛,活动障碍,伴右腕关节肿胀、畸形、活动障碍;右
正当亚洲金融危机发生近一年之际,又传来了日元大幅贬值的坏消息:日元兑美元的汇率从4月份的130:1跌至6月中旬的146:1。日元的大幅度下滑将刚刚冒出头还来不及喘口气的东南
极紫外光刻中掩模板热变形是不可忽略的.本文采用有限元方法,针对工业化生产条件(80wafer-per-hour)计算掩模板热变形.抗蚀剂感光度为7mJ/em2时,x-y平面内最大变形为1.6rm,z
会议
金属有机物化学气相淀积(Metal organic Chemical Yapor Deposition)简称MOCYD,1968年由美国洛克威公司的Manasevit等人提出制备化合物单晶薄膜的一项新技术。到80年代初得以
高选择比反应离子刻蚀(RIE)设备,主要应用于器件制造中Si、Si3N4材料的刻蚀[1].本文介绍了一种用于硅的高选择比反应离子刻蚀设备,刻蚀选择比≥5∶1.着重阐述了该设备的结构
可编程的只读存取器(PROM)作为一次性写入存储器,由于其内容不可擦出,稳定性好,被广泛应用于高可靠性领域.而熔丝型PROM是只读存储器的一种,它是通过熔断熔丝来实现编程的,因