【摘 要】
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通过X射线衍射测量了YGdMnSn(x=0-1)和YMnSnCr(x=0-0.8)化合物的晶体结构.由磁性和电阻的测量研究了YGdMnSn(x=0.2)和YMnSnCr(x=0.4,0.5)化合物磁电阻效应.对化合物YGdMnSn(x=0.2)和YMnSnCr(x=0.4,0.5)分别观测到19.3﹪,32﹪和24﹪的负磁电阻.
【机 构】
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武汉科技大学应用物理系(武汉) 中国科学院物理研究所凝聚态物理中心磁学国家重点实验室(北京)
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通过X射线衍射测量了Y<,1-x>Gd<,x>Mn<,6>Sn<,6>(x=0-1)和YMn<,6>Sn<,6-x>Cr<,x>(x=0-0.8)化合物的晶体结构.由磁性和电阻的测量研究了Y<,1-x>Gd<,x>Mn<,6>Sn<,6>(x=0.2)和YMn<,6>Sn<,6-x>Cr<,x>(x=0.4,0.5)化合物磁电阻效应.对化合物Y<,1-x>Gd<,x>Mn<,6>Sn<,6>(x=0.2)和YMn<,6>Sn<,6-x>Cr<,x>(x=0.4,0.5)分别观测到19.3﹪,32﹪和24﹪的负磁电阻.
其他文献
采用改进的溶胶-凝胶法制备了LaKMnO(x=0.075)和LaKMnO(x=0.075)钙钛矿材料,研究两类化合物的结构,电、磁性质和磁电阻效应.结果表明层状钙钛矿具有独特的结构和电、磁学特性,并具有比较大的低温磁电阻效应,这是由电荷在双MnO面内和面间各向异性的输运行为决定的.
采用固相反应烧结法制备了一系列(LaSr)MnO多晶样品,用X射线衍射、振动样品磁强计、磁电阻率测量等手段对这些样品的磁性和输运性能进行了较为系统的研究.发现A位缺位对样品的磁电阻效应有明显的影响,x=0.03的样品电阻率较低,磁电阻也较大,在约320K的温度下可达16﹪左右.
在常压和较低温度(1073K)下利用溶胶-凝胶法制备了成分为Ca(MnCu)MnO的化合物,X射线衍射图表明当x≤1.5时化合物呈单一钙钛矿相.所有样品均未观测到金属-绝缘体转变,但随成份的改变有反铁磁-铁磁转变发生.它们的磁电阻随温度呈线性变化.对x=1.5的样品,在77K和3T磁场下的磁电阻可达37﹪.
利用脉冲激光沉积法制备了由单一钙钛相组成的NdSrMnO和由钙钛矿相与金属Ag相组成的NdSrAgMnO薄膜,研究了这两种薄膜的庞磁电阻效应,发现由于Ag相的存在可增强NdSrAgMnO薄膜的磁电阻效应.分析表明,钙钛矿锰氧化物薄膜的磁输运行为对氧含量的正分性非常敏感.
用固相反应法制备了La(CaBa)MnO(x=0.00,0.40,0.45,0.55,0.60,1.00)六种多晶CMR材料,测量了材料在77K350K范围内零磁场和0.4T外磁场下的电阻率.在不同的温度区域呈现不同的电阻率以及磁电阻随温度的变化行为,说明存在不同的磁电阻效应的机理.证实了高温下的电阻率峰为I-M转变.研究发现掺杂量x=0.55,0.6两材料在室温有较大的磁电阻,表明掺杂量大小影响
本文系统地研究多晶CaMnNbO化合物的结构、磁性和电子输运性质.CaMnNbO化合物具有正交的GdFeO型结构,随着Nb的增加,其点阵常数和晶包体积都增大.然而其磁性显示了复杂的性质.CaMnNbO在5K-400K温度范围内是绝缘体,其电阻率随Nb含量的增加而增大.在低温区,观测到一个巨大的不对称的电阻回线.该回线随温度的升高,回线的宽度降低直至在居里温度附近重合.
我们研究了改变LaCaMnO氧含量对其电、磁性质的影响.在氧含量减少初期,样品电阻率随之减小,并且在低温下更明显,而磁性质没有显著的变化.进一步减少氧含量,样品电阻率显著增大.相应的,在225K处的铁磁转变信号幅值降低,在130K处的反铁磁转变消失.对于y=0.17的样品,在167K附近出现了绝缘-金属和顺磁-铁磁转变.利用氧缺位对铁磁金属相和反铁磁绝缘相两相共存的影响对实验结果进行了讨论.
在LaSrMnO中掺杂γ-FeO,发现掺杂后的电阻率要远大于未掺杂样品的电阻率.掺入γ-FeO后,样品出现异常磁电阻效应,即加外磁场后样品的电阻率明显大于未加磁场时样品的电阻率.同时,掺杂样品磁电阻的磁场灵敏度显著提高,磁电阻峰值出现在室温以上.
根据实验数据,利用一定的数学模型,对LaCaMnO薄膜材料中的磁团簇随温度变化的行为特性进行了研究,通过对LaCaMnO薄膜相关实验数据的拟合,进一步缩小了该材料居里温度的误差范围;通过计算MR随磁团簇总角量子数J的变化,研究了制约和影响MR值及其场灵敏度(fieldsensitivity)的主要因素.
首次研究了在锰氧化物中掺杂Ⅵ族元素Te所引起的巨磁效应(CMR).发现LaTeMnO可能是Mn-Mn混合价态的新型巨磁阻材料,为畸变的ABO结构,低温下呈现明显的自旋玻璃态现象.在4T的磁场作用下,金属-半导体转变温度为221K,MR﹪值为50.7﹪.在低场(<0.1T)下,电阻率对磁场响应敏感,也具有较高的MR﹪值.