电子增强的CVD法在钨钼基体上沉积金刚石薄膜

来源 :1998年中国材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yufengjin
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研究了电子增强的热丝化学气相沉积法在钨、钼基体材料上制备金刚石薄膜,运用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、激光拉曼光谱分析技术对合成膜的晶体结构、形貌、性质进行了分析,结果表明在基体与金刚石薄膜之间存在一层很薄的碳化物层。在钨、钼基体上所得到的金刚石薄膜不论形貌还是拉曼光谱特征峰位置都很相似,但其特征峰位置在1339cm〈’-1〉处,这与天然金刚石的拉曼光谱特征峰位置1332.5cm〈’-1〉相差较大。
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