【摘 要】
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采用蒸气输运反应法在不同温度下制备了Ag(TCNQ)纳米线阵列薄膜,本文初步对其场发射性能进行了研究.实验发现,该Ag(TCNQ)纳米线阵列的场致发射具有Fowler-Nordheim的指数特征
【出 处】
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上海市真空学会成立20周年暨第九届学术年会
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采用蒸气输运反应法在不同温度下制备了Ag(TCNQ)纳米线阵列薄膜,本文初步对其场发射性能进行了研究.实验发现,该Ag(TCNQ)纳米线阵列的场致发射具有Fowler-Nordheim的指数特征,达到10μA/cm2的发射电流密度对应的电场即开启电压较低,约为0.8V/μm,最大电流密度为0.06m从m2.在测试的I-V特性曲线上,电流呈周期振荡.初步解释了这一现象产生的可能原因.为改善Ag(TCNQ)纳米残的场发射性能,应该优化薄膜的制备工艺。
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