【摘 要】
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研究了非晶FeSiB/Cu/FeSiB夹心薄膜在100kHz～40MHz范围内的巨磁阻抗效应(其大小用磁阻抗比表示).当磁场和交流电流沿薄膜的纵向时,磁阻抗比随磁场的增大而增强,在磁场约1600A/
【机 构】
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上海交通大学微纳米科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,200030
【出 处】
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上海市真空学会成立20周年暨第九届学术年会
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研究了非晶FeSiB/Cu/FeSiB夹心薄膜在100kHz～40MHz范围内的巨磁阻抗效应(其大小用磁阻抗比表示).当磁场和交流电流沿薄膜的纵向时,磁阻抗比随磁场的增大而增强,在磁场约1600A/m下达到最大值,然后随磁场的增大而下降到负的磁阻抗比.在频率3MHz、磁场1600A/m时磁阻抗比达到最大值17.2％.磁阻抗比的最大值及负的磁阻抗比与夹心薄膜中磁各向异性轴的取向有关.另外,当磁场施加在薄膜的横向时,薄膜表现出负的磁阻抗比,在频率3MHz、磁场5600A/m时,磁阻抗比达-13.4％.。
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