论文部分内容阅读
CMOS电路可测性设计的动态实现
【机 构】
：
东南大学
【出 处】
：
中国电机工程学会1989年理论电工专业委员会电路理论及应用分会第二届年会
【发表日期】
：
1989年期
其他文献
今天是媒体管理学院成立两周年, 今年是校庆50周年,首先表示祝贺。请我来讲关于当前电视节目的市场和市场展望,这个题目比较大。这几年电视界的变化非常快,而且也有点眼花缭
该文对以ＭＯＳＦＥＴ（金属氧化物硅场效应薄膜晶体管）技术提高ＦＥＤ（场致发射显示）等器件的ＦＥＡ（场致发射阵列）阴极发射电流的稳定性作了说明，并就对ＭＯＳＦＥＴ技术的改进作了介绍。
该文研究了注Ｆ加固ＰＭＯＳＦＥＴ的总剂量辐照响应特性和辐照后氧化物电荷、界面态变化与时间、温度、偏置等退火条件的关系，发现一定退火条件下注Ｆ加固ＰＭＯＳＦＥＴ氧化物电荷和界面态密度在电离辐照后不