【摘 要】
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MEMS光点位置检测传感器是一种基于非均匀半导体横向光电效应，对入射光或者粒子位置敏感的器件，在现代工业生产，军事和科研中有着重要作用。本文基于雪崩击穿原理设计出一种
【机 构】
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东南大学电子科学与工程学院MEMS教育部重点实验室 南京210096
【出 处】
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第十二届全国敏感元件与传感器学术会议
论文部分内容阅读
MEMS光点位置检测传感器是一种基于非均匀半导体横向光电效应，对入射光或者粒子位置敏感的器件，在现代工业生产，军事和科研中有着重要作用。本文基于雪崩击穿原理设计出一种二维光点位置检测传感器结构。该结构的表面有一定面积的PN结，工作时PN结反偏，并且通过设计使该PN结只在底面击穿。正常工作时的电压略小于击穿电压。在无光照射器件表面时，无电流流过，有光照射时，器件表面将产生光生载流子，使照射处的雪崩击穿电压下降，产生局部击穿。产生的电流在表面根据电流位置重新分配，从而通过电流的比例分配计算出光点在表面的二维位置。在此器件结构中，为了要达到最大的击穿电压，则电场分布尽量平坦且区域尽量宽。在此提出一种提高PN结击穿电压的方案。
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