【摘 要】
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采用物理气相传输方法生长的红荧烯、并四苯、并五苯等单晶作为衬底,在其上通过真空蒸镀的方法同质外延生长了有机半导体薄膜,对薄膜初始生长阶段的动态过程和形貌用AFM进行
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
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采用物理气相传输方法生长的红荧烯、并四苯、并五苯等单晶作为衬底,在其上通过真空蒸镀的方法同质外延生长了有机半导体薄膜,对薄膜初始生长阶段的动态过程和形貌用AFM进行了分析和表征。对于红荧烯薄膜的同质外延,在0.2 nm/min的蒸镀速率下,在红荧烯晶体表面上连续蒸镀了不同厚度的红荧烯薄膜,用AFM进行了形貌表征,不仅观察到了二维成核、长大和一层一层生长,而且证明第二单分子层的形成过程完全类似于第一单分子层的形成过程。仅仅将沉积速率提高到0.6 nm/min,在表面上观察到了具有规则六边形的二维小岛的形成。这些六边形的二维生长小岛的出现主要是决定于红荧烯晶体本身的结构和生长的动力学过程。
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