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借助ISE软件，以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台，采用Step LDD结构、层叠LDD结构、阶梯掺杂结构以及“鸟嘴”结构来降低输出电容，提高器件的频率特性。模拟结果表明：这4种方法最多可分别降低输出电容88.4％，98.5％，43％和86.5％。
漂移区的改进对SOI LDMOS频率特性的影响
【摘 要】
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借助ISE软件，以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台，采用Step LDD结构、层叠LDD结构、阶梯掺杂结构以及“鸟嘴”结构来降低输出电容，提高器件的频率特性。模
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院,陕西西安710071
【出 处】
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陕西省物理学会2007年学术年会
【发表日期】
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2007年12期
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