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该文概述了直拉硅单晶在快中子、γ射线、电子辐照下的辐照效应（主要是载流子去除效应和少子寿命的降低），对γ辐照实验做了重点研究，发现在总剂量１０〈’５〉￣１０〈’６〉ｒａｄ（Ｓｉ）下，直拉硅单晶电阻率变化不大，寿命明显降低，采用大剂量掺锗及γ预辐照并退火的方法，可提高硅单晶的少子寿命并使之更稳定。