【摘 要】
：
半导体结构和器件在制造和使用过程中引入的热应力、晶格失配应力等可诱发晶体缺陷形核、改变能隙,降低器件的发光效率和灵敏度。由于激光器、发光二级管等光电子器件的外延层厚度仅为几纳米～几十纳米,采用X射线衍射(XRD)和同步辐射等技术虽具有高的应变敏感性,但难以得到微区应力和应变信息。会聚束电子衍射(CBED)有很高的空间分辨率和较高的应变敏感性,但难以获得统计信息。电子背散射衍射(EBSD)技术在晶体
【机 构】
：
北京工业大学固体微结构与性能研究所 北京工业大学光电子技术研究所,北京 100022
【出 处】
：
第二届全国电子背散射衍射技术及其应用会议
论文部分内容阅读
半导体结构和器件在制造和使用过程中引入的热应力、晶格失配应力等可诱发晶体缺陷形核、改变能隙,降低器件的发光效率和灵敏度。由于激光器、发光二级管等光电子器件的外延层厚度仅为几纳米～几十纳米,采用X射线衍射(XRD)和同步辐射等技术虽具有高的应变敏感性,但难以得到微区应力和应变信息。会聚束电子衍射(CBED)有很高的空间分辨率和较高的应变敏感性,但难以获得统计信息。电子背散射衍射(EBSD)技术在晶体学取向测量和结构鉴定方面已得到广泛应用,它具有较高的空间分辨率(30~40nm)、角分辨率(0.1°~0.3°)和应变敏感性(0.01％),对晶体完整性和表面应力状态十分敏感,因此在半导体外延系统的弹、塑性应变分析方面已取得了可喜进展,发挥着独特的作用。
其他文献
本文研究了Cr5MoV、Cr12和Cr12V等高碳钢在电磁搅拌的条件下的半固态组织演变过程,结果表明高碳钢普通铸锭的凝固组织中存在十分发达的柱状树枝晶,电磁搅拌可以使获得非枝晶的初生奥氏体,随着搅拌时间的增加,初生奥氏体的形貌变得愈来愈圆整,在较高固相分数的条件下搅拌,初生奥氏体固相颗粒有粘连现象,EBSD分析结果表明粘连的固相颗粒是不同的位向颗粒,这些不同的位向颗粒之间是从不同的晶核生长出来的,
研究了冷轧总压下率和退火温度对(Ti+Nb)-IF钢组织性能的影响,并采用EBSD对织构进行了分析。结果表明:当冷轧总压下率达到75％时,高温退火后r值就达到1.80以上,并随压下率的增大而上升,到85％时,r值达到最大值2.10左右,当冷轧总压下率达到90％时,r值开始下降。钢热轧板经80％压下率冷轧后,退火温度低于850℃时,r值随退火温度的上升而上升,850℃以上退火时,r值受退火温度影响不
应用背散射电子衍射(EBSD)技术和织构定量检测手段,通过分析高纯铝箔成品退火的再结晶立方取向亚晶粒的长大行为,以及整体中晶粒尺寸和取向差的分布规律,研究了微量元素锡对铝箔再结晶立方织构的影响。结果表明:高纯铝箔的再结晶织构主要由立方织构及R织构组成,二者的相对强弱随锡含量有规律地变化。锡含量较低时立方取向亚结构形核及快速长大的优势不会受到影响,锡作为代替铅的环保型微量元素可以确保高压阳极铝箔95
利用电子背散射衍射(EBSD)技术对AM60镁合金在等通道转角挤压(ECAP)变形过程中的组织和织构演化进行了研究。研究结果表明:在ECAP变形前,常规轧制态AM60的平均晶粒尺寸为36.6μm,具有典型的基面织构,即C轴沿垂直于轧制方向分布;ECAP变形后,晶粒逐渐细化至2.5μm(四道次),大角晶界分数达91％,织构类型随ECAP变形道次的增加而逐步演化,最终大部分晶粒的基面平行于ECAP剪切
研究了以CSP工艺热轧板卷为原料的冷轧薄板在盐浴退火过程中的再结晶行为,通过显微组织、显微硬度及电子背散射衍射(EBSD)技术观察与分析揭示了再结晶的规律,结果表明:CSP工艺冷轧薄板经盐浴退火后的再结晶组织为等轴状晶粒;在相同温度下进行盐浴退火,冷轧压下率较大的冷轧薄板完成再结晶所需的保温时间较短,再结晶完成时晶粒较细小。可为优化生产现场的连续退火工艺提供一定的参考依据。
采用EBSD分析技术研究1075℃、初始应变速率为1×10S试验条件下大晶粒Ni-42Al合金超塑变形过程中的组织演变。研究发现,变形前,大晶粒Ni-42Al合金中小角度晶界比例极低,均以大角度晶界为主,且某几个特定角度的大角度晶界占有明显优势。在超塑变形过程中,持续有取向差5°以下的小角度晶界产生。随变形量的增大,新形成的小角度晶界取向差增加,转变为取向差较大的5~15°小角度晶界,进而转变为1
采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了预退火对冷轧形变量为96％、纯度为99.999％的高纯镍立方织构形成的影响。样品先在220℃和260℃预退火2小时,然后在高温600℃退火2小时。通过与形变样品直接在600℃退火2小时的结果比较,得出220℃预退火之后的样品在后续高温再结晶过程中形成的立方织构含量高于直接在600℃下退火2小时的样品;而260℃预退火样品,立方织构含量则低于直接退火样品。分析
运用EBSD(电子背散射衍射,electron backscattereddiffraction)收集了部分再结晶状态690合金样品表面的显微取向信息。运用TSL-EBSD的OIM(取向成像显微系统,orientationimage microscopy)4.6软件中不同的分析功能,重构了不同的取向成像显微图,得到再结晶区域与未再结晶区域的分布情况,并分析了再结晶区域内的取向分布特征。结果表明,运
在微电子封装中铜丝以其高强度、低成本的优势,有逐渐取代金丝的趋势。本文使用EBSD取向成像技术分析铜丝键合不同工艺阶段(原始拉拔丝、熔化自由球、第一点球键合、第二点楔形键合)的组织不均匀性及微织构的变化。并讨论了它们可能对性能的影响。
本文系统研究冷轧80％的IF钢板在减薄至0.2mm后,经680℃,700℃,730℃盐浴退火温度,保温时间为5s,10s至120s用来研究再结晶初期的形核与长大问题。采用EBSD和XRD衍射研究在不同温度,不同保温时间条件下冷轧板材的再结晶行为,确定了其宏观织构的变化规律和再结晶初期的形核位置、取向与再结晶织构之间的关系。