(K0.45Na0.55)NbO3无铅压电晶体的生长形态与介电性能研究

来源 :中国物理学会2011年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hobo_man
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会议
The studies on the domain evolution of MFIS or MFS structure in the retention process can be very helpful to investigate the mechanism of the retention loss in FeFET.Piezoresponse force microscopy (PF
高温压电陶瓷材料,必须在较高温度下不发生结构相变而影响其压电性能,且各项性能参数具有较优异的高温使用特性,才能长期处于高温状态下工作而稳定可靠.本文用固相合成工艺制备Pb0.7Ti0.3Nb2O6陶瓷材料样品,研究了烧结温度对其介电性能的影响,得出Pb0.7Ti0.3Nb2O6陶瓷材料最佳的制备工艺.
会议
由于磁性和介电性质的强烈耦合,量子顺电材料EuTiO3 材料的研究近来倍受人们的关注.本文通过运用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了量子顺电(PE)材料EuTiO3 的磁性和电子结构,分析了应变对磁性和结构相变的作用,从而探讨了该材料中可能的磁电耦合机理.
采用直流磁控溅射技术在(001)-取向的钛铌镁酸铅 (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMN-PT)压电单晶衬底上外延生长钙钛矿锰氧化物La1-xAxMnO3 (A=Ca,Sr,Ba)薄膜材料.通过对PMN-PT 压电单晶衬底施加电场,利用PMN-PT 衬底的铁电极化效应或反压电效应在衬底中诱导出面内应变,从而实现对其上外延生长的薄膜应变的进行原位动态调控.
会议
铁电薄膜场效应晶体管具有非破坏性读出、存储密度高、读写速度快、抗辐射性好等突出优点,是信息高新技术的前沿和热点之一.保持性能失效是铁电场效应晶体管 (FeFET)面临的关键问题,应变和温度是影响FeFET 保持性能失效的重要因素.
近年来,由于在众多氧化物中发现的电致电阻变换效应在高性能的非挥发性阻变存储器中具有潜在的应用而受到广大科学研究者的重视,相比于其他类型的存储器,阻变式非挥发性存储器具有结构简单、读写速度快、高密度、低功耗等突出优点.