【摘 要】
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本文采用一个七端口的符号定义器件SDD技术建立了一个InP HBT的大信号模型.此模型考虑了InP HBT的自热效应、准饱和效应等非理想效应.该模型的直流模型是基于VBIC模型的,电荷
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,西安710071
【出 处】
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2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件
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本文采用一个七端口的符号定义器件SDD技术建立了一个InP HBT的大信号模型.此模型考虑了InP HBT的自热效应、准饱和效应等非理想效应.该模型的直流模型是基于VBIC模型的,电荷模型是基于Agilent模型的.模型内嵌入ADS中仿真并与测试结果进行比较,准确地模拟了InP HBT的器件特性.
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