【摘 要】
：
紫外探测是宽禁带半导体材料在光电器件领域的重要应用领域之一。日盲紫外焦平面探测器是这类应用中的关键核心元件。由于焦平面探测器采用与硅读出电路的混成互连方式，需要研制背照射结构的pin材料。利用蓝宝石上生长具有异质结结构的高铝组分AlGaN材料可以满足这种焦平面器件的材料需求。由于材料的结构一定程度上决定着探测器的性能，因此分析研究外延片的质量是器件级材料筛选的重要内容。透射光谱分析方法具有非破坏性
【机 构】
：
中科院成像材料与器件重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
【出 处】
：
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
论文部分内容阅读
紫外探测是宽禁带半导体材料在光电器件领域的重要应用领域之一。日盲紫外焦平面探测器是这类应用中的关键核心元件。由于焦平面探测器采用与硅读出电路的混成互连方式，需要研制背照射结构的pin材料。利用蓝宝石上生长具有异质结结构的高铝组分AlGaN材料可以满足这种焦平面器件的材料需求。由于材料的结构一定程度上决定着探测器的性能，因此分析研究外延片的质量是器件级材料筛选的重要内容。透射光谱分析方法具有非破坏性的优点，同时测试工作简单方便，又能提供许多相关的材料信息。本文基于透射光谱分析，介绍了提取材料厚度和折射率色散曲线的一种方法。
其他文献
目前,AlGaN/GaN HEMT作为大功率器件,其功率特性一直是研究的重点.而击穿电压是制约AlGaN/GaN HEMT在高功率高耐压电路应用中的关键参数.RESURF技术首次被Shreepad Karmalkar等人引入GaN HEMT器件,通过对器件的缓冲层进行掺杂,缓冲层和沟道互相耗尽,从而提高了器件的击穿电压.但是GaN掺杂一直是一个难题,这一技术并未得到普遍使用.Yasuhiro Ue
近年来,随着科学界和工业界不断增强对宽禁带半导体氮化物材料和器件特性研究的科研投入,基于宽禁带半导体氮化物的半导体激光器和LED等光电子器件发展迅速,并以其优异的发光特性迅速填补了光电子器件在蓝光领域的空白,2014度的三位诺贝尔获奖者也正是因为在此领域中的突出贡献而获奖.研究并进一步促进基于氮化物的半导体激光器和LED等光电子器件的实际应用对中国科技发展和经济建设都具有重要意义.氮化物脉冲激光器
氮化镓基微米LED的尺寸(比如40μm直径/长宽)比普通照明用的LED尺寸小,从而具有一些特殊的发光性质,包括局域化发光、均匀的电流扩展、良好的热扩散效应、可支撑极高电流密度、高光输出功率密度、和快速光电调制带宽等.因此,微米LED在近期展示出巨大的应用前景,包括全色高亮度自发光微显示、针状微米LED应用于光遗传学、10Gb/s高速可见光通讯、微米LED直写微纳米结构、和交流电固态照明等.本工作研
稀磁半导体材料是在半导体材料掺入少量的磁性离子,从而使半导体材料去有磁性,稀磁半导体由于具有磁性、磁光和磁输运等新的物理效应,可以制成各种新型的功能器件,如稀磁半导体超晶格和量子肼、高密度非易失性存储器、磁感应器件、光隔离器件、半导体激光器集成电路及量子计算机等.因此,稀磁半导体材料制成的电子自旋器件有广阔的应用前景.采用Ni离子注入MOCVD方法外延生长p-GaN。Ni离子注入能量为150keV
GaN基半导体材料在紫外/蓝光/绿光发光二极管、激光器、探测器,以及高频高温大功率电子器件等方面有着重要而广泛的应用.目前,高质量的GaN材料通常由MOCVD和MBE在高温条件下进行生长,本文依托RF-MBE提出了两种非高温的方式来增加原子的表面迁移能力，为进而实现高质量GaN的低温生长提供可能的途径的离子。本文研究了在低温生长时，离子轰击对材料质量的影响，样品D在生长过程中将氮等离子体源出口处的
GaAs是一种直接禁带半导体材料,有较大的禁带宽度(1.4eV),相比于硅有更高的迁移率(8500cm2/(V·s)at300K),更高的饱和漂移速度(2.1*107cm/s)和更小的电子有效质量(0.068m0),所以经常被用于红外探测器、发光二极管,微波器件、高速器件等研究领域.对于GaAs材料的关注历来已久,GaAs半导体纳米线的生长工作也越来越受到重视,进来Trukhin等人利用GaAs纳
Ga2O3是一种新型的宽禁带半导体材料，拥有超大的带隙(～4.9 eV)、较大的击穿场强(～8 MV/cm)及较高的巴利加优值，在日盲光电探测、场效应晶体管、电子自旋存储、LED、紫外光透明导电电极、气敏、阻变等领域具有巨大的应用前景，正在形成研究热点.近两三年，我们在Ga2O3薄膜生长、物性研究及器件方面做了一些工作[1-8]，望借此机会与大家交流.利用激光分子束外延(LMBE)技术在蓝宝石衬底
Ⅲ族氮化物作为宽禁带半导体的重要成员，具有宽广连续可调的直接能带隙，是发展紫外-可见波段光电子器件的优选材料.近年，我们重点研究了用于制备日盲紫外探测器的高Al组分的AlGaN材料和异质结构，发展了AlGaN金属-半导体-金属(MSM)日盲紫外探测器，暗电流低至10-15A；吸收倍增区分离(SAM)及极化增强的紫外雪崩光电二极管(APD)器件，雪崩增益高达104.在发光器件方面，我们探索了Ⅲ族氮化
AlGaN材料因在紫外光电子器件领域具有广泛的应用前景而越来越受到人们的重视，但是由于AlGaN材料质量存在的问题严重限制了其紫外光电子器件的应用与发展。本报告中将介绍采用"两步法"高温MOCVD生长高质量AlN/sapphire模板，并以此为基础制备了高质量的AlGaN紫外器件结构材料。系统研究了不同生长参数，如缓冲层生长温度、厚度、Ⅲ/Ⅴ比以及及高温层的生长温度、生长压强等对AlN模板结晶质量
In situ asymmetric island sidewall growth(AISG)was developed to improve the crystalline quality of the(11-22)GaN films on m-sapphire.By AISG the Ga-face facet growth along the +c [0001] inclined direc