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本文对工作在1THz纳米速调管的起振条件进行了分析,分别介绍了场致发射阴极、纳米速调管谐振腔和输出结构的模拟设计方法,对1THz的谐振腔和输出结构进行了初步的模拟设计,在电子注电流为5A,电压为500V的条件下,理论预计可以达到5.5mW的功率输出.
THz速调管的模拟研究
【摘 要】
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本文对工作在1THz纳米速调管的起振条件进行了分析,分别介绍了场致发射阴极、纳米速调管谐振腔和输出结构的模拟设计方法,对1THz的谐振腔和输出结构进行了初步的模拟设计,在电子注电流为5A,电压为500V的条件下,理论预计可以达到5.5mW的功率输出.
【机 构】
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中国科学院电子学研究所微波器件与技术研究发展中心
【出 处】
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中国科学院电子学研究所2006年青年学术交流会
【发表日期】
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2006年5期
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