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同质子辐照P型碲镉汞材料的方法成功地制备了n-on-p型短波与中波光伏器件,其中中波器件的载止波长为6.5mm,黑体探测率达2.3×10<10>cmHz<0.5>W<-1>,量子效率为28%,其R<,0>A在175Ω·cm。对辐照前后材料和器件的载止波长变化作出了初步解释。C-V特性研究发现其为突变结,其噪声频谱表明在低频(<300Hz)时主要时1/f噪声限制,在中频和高频时主要是白噪声限制。短波器件和电流电压特性表明器件在室温可承受15V的反向偏压。