【摘 要】
：
在聚酰亚胺(PI)柔性衬底Cu(InxGa1-x)Se2(简称CIGS)薄膜的制备中,Na的掺入和Ga的扩散对于薄膜特性的提升都至关重要。本文研究在低温沉积CIGS薄膜过程中,Na元素对于Ga扩散的
【机 构】
：
南开大学信息技术科学学院光电子研究所,天津 300071
论文部分内容阅读
在聚酰亚胺(PI)柔性衬底Cu(InxGa1-x)Se2(简称CIGS)薄膜的制备中,Na的掺入和Ga的扩散对于薄膜特性的提升都至关重要。本文研究在低温沉积CIGS薄膜过程中,Na元素对于Ga扩散的影响。X光衍射(XRD)分析发现,在前掺Na制备的CIGS薄膜中,存在表面高Ga而内部低Ga的现象；小角度X光衍射(GIXRD)分析显示,CIGS的衍射峰随着深度的增加而逐渐左移。这一现象在无Na的CIGS薄膜中并不存在。XRD对比分析显示,掺入的Na越多,这一现象越明显；薄膜Ga/(Ga+In)越高,这一现象越容易出现。一系列分析表明,Na对于Ga的扩散有阻碍作用。
其他文献
本文研究了掺杂浓度及i/p界面氢处理时间对柔性衬底上的nip结构非晶硅(α-Si∶H)太阳电池性能的影响。采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了一系列nip α-Si
本文定义了一个组合参量,等离子体功率与气压的比值,Pw/Pg,并以Pw/Pg为主要变量,建立了射频PECVD制备硅薄膜的沉积相图。用光发射谱(OES)监测了等离子沉积过程,比较了不同沉
研究了氩稀释对微晶硅薄膜沉积速率和晶化率的影响,结果表明,少量的氩稀释可以提高薄膜生长速率。增加氩气的流量,有利于促进薄膜晶化,但薄膜的生长速率降低。为了进一步认识
研究了大面积近空间升华法沉积装置的物理机制,制备出300×400mm CdTe多晶薄膜。利用XRD,SEM,UV/Vis,电导温度曲线等研究了薄膜结构形貌和光学电学性能。结果表明:刚沉积的薄
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了不同硼掺杂浓度的p型μc-Si∶H材料。实验结果表明:随着硼掺杂浓度的增大,p型μc-Si∶H材料的沉积速率随着掺杂浓度的增大有所
热退火是改善太阳电池性能的后处理工艺之一。本文研究了110℃～180℃(2min)条件下的空气热退火对不同成分比例Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池性能的影响。结果表明:对于不同
本文对Cu(In,Ga)Se2太阳电池进行了系统的光学优化研究,采用干涉矩阵方法计算了Cu(In,Ga)Se2太阳电池的表面反射率,用加权平均反射率Rw作为评价函数,对多层薄膜系统进行了整
本文制作了以共蒸发Cu2Te、掺杂石墨为背接触层的两种CdS/CdTe薄膜太阳电池。用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心。在以共蒸发Cu2Te为背接触的器件中发现了五个深中心,其
本文采用改变衬底温度与沉积速率来制备ZnTe/ZnTe∶Cu复合背接触层,用SEM、XPS研究了不同条件下ZnTe/ZnTe∶Cu复合背接触层的形貌、化学元素的分布,试测了不同条件下制备的电
在CdTe电池制备中,由于CdTe自补偿效应,不易实现重掺杂,在CdTe吸收层和电极间获得稳定的欧姆接触是决定转换效率的关键技术,一种可行的方法是在CdTe和电极间制备一层重掺杂的