ZnTe/ZnTe∶Cu复合背接触层研究

来源 :第十届中国太阳能光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sharapova60
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
在CdTe电池制备中,由于CdTe自补偿效应,不易实现重掺杂,在CdTe吸收层和电极间获得稳定的欧姆接触是决定转换效率的关键技术,一种可行的方法是在CdTe和电极间制备一层重掺杂的ZnTe∶Cu的过度层。用共蒸法沉积了ZnTe/ZnTe∶Cu复合多晶薄膜,通过XRD、AFM、C-V、I-V等研究了沉积温度对薄膜结构及电池性能的影响。结果表明,沉积温度对薄膜的结构影响不明显,薄膜呈立方相,且沿(111)择优取向,晶粒随着沉积温度增加而增加,经185℃退火后出现了六方相。100℃沉积的ZnTe/ZnTe∶Cu的复合层做太阳电池的过度层制作的太阳电池XD较大,电容较小,二极管特性较好,具有较高的转换效率。
其他文献
对在柔性衬底非晶硅太阳电池中有重要应用的Ag/ZnO复合背反射镜进行了研究。利用Ag靶和ZnO∶Al合金靶,在不锈钢衬底上采用射频磁控溅射法制备了Ag/ZnO背反射镜。首先研究了衬
会议
本文研究了掺杂浓度及i/p界面氢处理时间对柔性衬底上的nip结构非晶硅(α-Si∶H)太阳电池性能的影响。采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了一系列nip α-Si
会议
本文定义了一个组合参量,等离子体功率与气压的比值,Pw/Pg,并以Pw/Pg为主要变量,建立了射频PECVD制备硅薄膜的沉积相图。用光发射谱(OES)监测了等离子沉积过程,比较了不同沉
会议
研究了氩稀释对微晶硅薄膜沉积速率和晶化率的影响,结果表明,少量的氩稀释可以提高薄膜生长速率。增加氩气的流量,有利于促进薄膜晶化,但薄膜的生长速率降低。为了进一步认识
会议
研究了大面积近空间升华法沉积装置的物理机制,制备出300×400mm CdTe多晶薄膜。利用XRD,SEM,UV/Vis,电导温度曲线等研究了薄膜结构形貌和光学电学性能。结果表明:刚沉积的薄
会议
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了不同硼掺杂浓度的p型μc-Si∶H材料。实验结果表明:随着硼掺杂浓度的增大,p型μc-Si∶H材料的沉积速率随着掺杂浓度的增大有所
会议
热退火是改善太阳电池性能的后处理工艺之一。本文研究了110℃~180℃(2min)条件下的空气热退火对不同成分比例Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池性能的影响。结果表明:对于不同
会议
本文对Cu(In,Ga)Se2太阳电池进行了系统的光学优化研究,采用干涉矩阵方法计算了Cu(In,Ga)Se2太阳电池的表面反射率,用加权平均反射率Rw作为评价函数,对多层薄膜系统进行了整
会议
本文制作了以共蒸发Cu2Te、掺杂石墨为背接触层的两种CdS/CdTe薄膜太阳电池。用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心。在以共蒸发Cu2Te为背接触的器件中发现了五个深中心,其
本文采用改变衬底温度与沉积速率来制备ZnTe/ZnTe∶Cu复合背接触层,用SEM、XPS研究了不同条件下ZnTe/ZnTe∶Cu复合背接触层的形貌、化学元素的分布,试测了不同条件下制备的电
会议