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采用非平衡分子动力学方法模拟了半导体硅纳米线的热导率。考虑了纳米线的长度、截面积和平均温度等因素对其热导率的影响。结果表明,由于边界效应的影响,硅纳米线的热导率值比硅体材料热导率低1～2数量级。纳米线截面积的增大会增大其热导率值。本文结果和前人的研究结果符合的较好。
硅纳米线热导率的MD研究
【摘 要】
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采用非平衡分子动力学方法模拟了半导体硅纳米线的热导率。考虑了纳米线的长度、截面积和平均温度等因素对其热导率的影响。结果表明,由于边界效应的影响,硅纳米线的热导率值
【机 构】
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北京清华大学航天航空学院,传热与能源利用北京市重点实验室,北京,100084
【出 处】
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2007年传热传质学学术会议
【发表日期】
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2007年期
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