CeTX(T:Cu,Ni;X:Si,Ge,Sn)化合物的结构与磁性

来源 :中国物理学会第二届全国强磁场学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zy34970348

【摘要】

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通过对ＣｅＴＸ化合物的Ｘ射线衍射结构分析和在高达６Ｔ的超导强磁场下的磁测量，发现在具有相同晶体结构（Ｆｅ[*V2*]Ｐ型六方结构）的Ｃｅ化合物中，ＣｅＣｕＳｉ，ＣｅＣｕＧｅ，ＣｅＣｕＳｎ的磁化强度的温度变化符合居里－外斯法则，并在低温（３０Ｋ左右）下发

【作者】

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况建平杨伏明李清元

【机构】

：

中国科学院物理研究所

【出处】

：

中国物理学会第二届全国强磁场学术讨论会

【发表日期】

：

1989年期

【关键词】

：

化合物六方结构超导强磁场温度变化铁磁有序顺磁射线衍射晶体结构结构分析磁性行为磁化强度磁化率磁测量法则

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通过对ＣｅＴＸ化合物的Ｘ射线衍射结构分析和在高达６Ｔ的超导强磁场下的磁测量，发现在具有相同晶体结构（Ｆｅ[*V2*]Ｐ型六方结构）的Ｃｅ化合物中，ＣｅＣｕＳｉ，ＣｅＣｕＧｅ，ＣｅＣｕＳｎ的磁化强度的温度变化符合居里－外斯法则，并在低温（３０Ｋ左右）下发生铁磁有序。而ＣｅＮｉＳｉ化合物，则表现为巡游顺磁性行为，并具有较大的泡利顺磁型磁化率（０．８４×１０ˉｅｍｕ／ｍｏｌｅ）。（本刊录）

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