基于聚环碳硅烷的无孔低介电常数材料

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利用吡啶胺铪/有机硼烷催化乙烯基烯丙基二甲基硅烷(DMSHD)与1,5-己二烯(1,5-HD)环化共聚,调节共聚单体配比,可得到主链中含有不同含量环硅烷的共聚物。引入C-Si键提高了环烯烃聚合物的热性质、表面性质、力学性能及介电性能。共聚物的介电常数低于2.5,且随着C-Si键含量增加而降低,其中聚环碳硅烷Poly(DMSHD)的介电常数为1.85。研究表明,聚环碳硅烷薄膜中不含有纳米微孔,极低的介电常数取决于其独特的链结构。
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