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通过对近红外激光散射信号探测和信号分布分析,来检测半导体材料体缺陷是一种很有前途的方法.本文简要介绍了检测的基本原理和理论模型,在此基础上提出了判断缺陷尺度的判据,并通过对一组GaAs样品的实验研究,验证了其可行性.
半导体材料微米/纳米级体缺陷检测理论与实验研究
【摘 要】
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通过对近红外激光散射信号探测和信号分布分析,来检测半导体材料体缺陷是一种很有前途的方法.本文简要介绍了检测的基本原理和理论模型,在此基础上提出了判断缺陷尺度的判据,
【机 构】
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清华大学精仪系
【出 处】
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第四届全国微米/纳米技术学术会议
【发表日期】
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2000年期
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