Cu掺杂TiO2纳米管薄膜的结构及光电性能分析

来源 :第十四届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lyh041899999
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  采用阳极氧化法制备Cu掺杂TiO2纳米管阵列薄膜,并对样品进行了紫外-可见漫反射光谱、XRD、SEM和光电性能的分析.研究了Cu掺杂对TiO2膜吸收边红移的影响,并探索其机理.XRD结果表明:500℃下退火处理得到的薄膜主要为锐钛矿相,但随着Cu掺量的提高,薄膜XRD衍射峰明显宽化,结晶性变差,将会在TiO2薄膜晶体中引入缺陷.对比Cu掺杂前后TiO2纳米管的SEM图,表明Cu不是以表面修饰的形式附着在TiO2材料表面,而是进入TiO2晶格之中.将TiO2纳米管薄膜组装成电池在光照下测试其Ⅰ-Ⅴ曲线,发现Cu掺杂样品的开路电压和短路电流要比未掺杂的分别提高12%和38%以上.
其他文献
本文通过光学显微镜、原子力显微镜、微拉曼光谱对基于ART机理的在纳球光刻GaAs衬底孔洞区异质外延InP成核层开展研究.结果显示InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,而与MOCVD的生长条件息息相关.通过和渐变缓冲层生长比较,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但是其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关.提高Ⅴ/Ⅲ比可以
采用电子束蒸发技术在SiO2,半绝缘Si,n型GaAs衬底上沉积氧化铟锡薄膜,包含5%组分的SnO2和95%的In2O3.测试薄膜基本电学、光学性能,并将其用于ITO金属和ITO/n-GaAs之间非整流接触的研究.利用圆形传输线模型的方法来测试不同退火温度下样品的接触电阻率,得到ITO与金属镍的最小接触电阻率为2.81×10-6 Ω·cm2.忽略金属与ITO接触电阻以及金属自身电阻影响后测得ITO
Cu2ZnSnS4(CZTS)不仅具有较高的光吸收系数(>104 cm-1)和与太阳能电池吸收层相匹配的禁带宽度(约为1.50 eV),而且其组成元素在地壳中储存量丰富、毒性低,被认为是一种绿色、廉价、适合大规模生产的太阳能电池吸收层材料.本文采用无毒的乙醇作溶剂,金属氯化物和硫代乙酰胺(TAA)为原料,单乙醇胺(EMA)为添加剂制备均匀的前驱溶液,并采用旋涂法和真空退火处理制备CZTS薄膜.系统
采用原子层淀积(ALD),制备Al2O3(8nm)为栅介质的Si衬底AlGaN/GaN金属绝缘栅高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT).器件栅长2μm,栅宽100um,制备的MIS-HEMT器件经过400℃、10分钟退火后,栅电极反向泄漏电流降低了四个数量级,关态耐压从45V提高到190V;正向栅电压最高可以加到+5.0V,栅压为+5.0V时最大饱和输出电流520mA/mm;阈值电压-2.7V,最
The effect of quantum well (QW) number on performances of InGaN/GaN MQW LEDs has been investigated.It is observed that V-defects increase in density and averaged size with more periods of QWs, resulti
会议
The efficiency droop of InGaN/GaN(InGaN) multiple quantum well (MQW) light emitting diodes(LEDs) with thin quantum barriers (QB) is studied.With thin GaN QB (3 nm to 6 nm thickness), the efficiency be
会议
铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)不仅具有较高的光吸收系数(>104cm-1)和与太阳能光谱相匹配的禁带宽度(约为1.50 eV),而且其组成元素在地壳中储存量丰富、毒性低,被认为是一种绿色、廉价、适合大规模生产的太阳能电池吸收层材料.为满足光伏技术的高效率和低成本的要求,本文采用便宜低毒的乙二醇甲醚为溶剂,氯化铜、氯化锌、硫化亚锡为金属源,硫脲为硫源,单乙醇胺为添加剂制备溶胶-凝胶,通过旋涂法结合改
属于高能带阶跃、强极化半导体低维体系的GaN基异质结构不仅在高频、高温、高功率电子器件领域具有重大应用,而且是研制室温下工作的自旋电子器件的重要材料体系。近年来,我们采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法制备出高质量的GaN基异质结构材料,分析了其本征能带自旋分裂特征,在此基础上系统研究了其自旋光电流性质和自旋输运性质。本报告将在介绍本领域工作意义、发展动态、以及我们以往的研究结果的同时,重点
会议
ZnO因为具有较大的激子束缚能(大约60 meV),使其在紫外发光二极管和激光二板管方面具有了很好的应用前景.一般ZnO具有纤锌矿结构,沿[001]方向上存在着极化电场,它会将电子和空穴空间分离,在大电流连续注入发光时效率降低,波长红移.解决这个问题的根本方法是制作非极性面或半极性面的发光二极管器件.由于p型ZnO的不稳定性,本研究采用原子层沉积技术在p型Si和p型GaN衬底上制作m面ZnO异质结
从传统微电子学转向自旋电子学器件,一个重要的途径是将氧化物集成到Si村底上,其关键是获得高质量的氧化物/硅界面.然而,由于O与Si只需哪怕最少的接触既可生成SiO2,获取高质量的氧化物/硅界面始终是一个极具挑战的任务.实验发现,在Si(001)衬底上,预生长1.08ML的Sr,有望获得高质量的SrTiO3/Si(001)界面ⅰ.但是,这种预生长技术对其他氧化物/硅界面的生长效果并不好ⅱ.显然,从实
会议