流延法制备La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ电解质薄膜

来源 :2006年全国功能材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qirongsong
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采用流延法制备了La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ电解质薄膜,确定了流延浆料的基础组成,通过TG-DTA考察了素坯在排胶过程中的有机粘结剂的分解特性,通过烧结工艺的摸索制备了100×100的La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ电解质薄膜.
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采用化学气相沉积(CVD)法,以甩涂在Si(111)衬底上的Ga2O3薄膜和NH3作为原料,在无催化荆条件下成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、能量散射谱(EDS)仪和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品进行了成分和结构分析,并讨论了其生长机理.结果表明:生成的GaN纳米线平直光滑,直径在30~80nm内,长度可达几十微米,纳米线为六方纤锌矿结构的GaN
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Ni47Ti44Nb9形状记忆合金由Ni-Ti基体相和富铌相组成.本文用扫描电镜和差示扫描量热仪(DSC)研究了固溶热处理对Ni47Ti44Nb9记忆合金显微组织和马氏体相变开始温度Ms点的影响.结果表明,固溶热处理后对该合金的显微组织结构没有明显的影响,但是微观上相的成分和含量发生了比较明显的变化,导致合金基体中Ni/Ti原子比的变化.相同冷却速度下,固溶热处理温度越高,将使得Ni-Ti相中的N
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介绍了一种新型蓝光有机电致发光材料2-(2-羟基苯基)苯并噻唑铍(Be(BTZ)2)的制备方法,并通过红外光谱、元素分析、热重曲线、差热曲线、紫外-可见光吸收光谱、循环伏安曲线、荧光激发光谱和光致发光光谱表征了Be(BTZ)2的结构与性能.实验结果表明:Be(BTZ)2的升华温度为317℃;在光致发光光谱中,Be(BTZ)2的最大发射峰波长为465nm,半高宽为48.9nm;Be(BTZ)2的最高
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