【摘 要】
：
随着纳米表面工程的发展,纳米材料的发光问题成为重要的研究课题.ZnO是一种优良的室温近紫外发光材料,人们用ZnO纳米线阵列构成了光致纳米激光器,激光波长383 nm,线宽仅为0.3 nm,光泵浦阈值是40 kW/cm2.同时,人们希望降低ZnO纳米线的发光激励功率密度阈值,也希望用电来驱动发光.我们通过构建半导体p-n结来降低发光的激励阈值,本文构建了基于n-ZnO纳米线/p-Si异质结的电致近紫
【机 构】
：
北京大学电子学系,北京,100871
论文部分内容阅读
随着纳米表面工程的发展,纳米材料的发光问题成为重要的研究课题.ZnO是一种优良的室温近紫外发光材料,人们用ZnO纳米线阵列构成了光致纳米激光器,激光波长383 nm,线宽仅为0.3 nm,光泵浦阈值是40 kW/cm2.同时,人们希望降低ZnO纳米线的发光激励功率密度阈值,也希望用电来驱动发光.我们通过构建半导体p-n结来降低发光的激励阈值,本文构建了基于n-ZnO纳米线/p-Si异质结的电致近紫外发光二极管.准阵列的ZnO纳米线采用水热法生长于重掺杂p型Si片上,纳米线结晶良好,以c轴为优势取向.二极管的电学接触采用聚合物填充的In阴极或以ITO玻璃紧压形成阴极,它们的I-V特性体现出良好的二极管性质,在正向偏置电压驱动下,构建的发光二极管可发射波长在387 nm的近紫外光.
其他文献
本文简要的介绍了使用直流磁控溅射机进行高温超导探测器的电极制备,对电极制备过程中的几个关键问题进行了探讨,确定了最佳工艺条件,制备出的电极质量良好,又保持了原超导膜的超导性.采用该电极结构制备的单元及多元高温超导探测器已有较好的光电性能.
铟膜及铟柱制备是研制红外焦平面探测器列阵的关键技术之一，本文着重介绍了“128×128”混合式热释电非致冷焦平面探测器列阵(UFPA)"研制中铟膜的制备和选择铟做混合式UFPA互连材料的理由与互连方法.强调了铟膜制备基本工艺要求.根据薄膜均匀性要求,计算出了蒸发源距工件的距离及所需材料量,确定了保证铟膜不氧化的关键数据及具体操作.文中给出了铟柱列阵显微照片(显示了铟膜厚度)及研制结果.展示了UFP
比较了生产钕铁硼(NdFeB)磁性材料的铸造方法及获得材料的磁性能,指出薄片铸锭方法的优势.为进一步提高材料的磁性能,对现有薄片铸锭设备和工艺进行了改进.添加Pr-Nd合金和海绵锆,采用真空感应熔炼快速凝固技术得到NdFeB合金薄片铸锭.对速凝薄片进行热处理,通过扫描电镜观察了薄片铸锭的组织结构.经制粉和晶化处理,获得NdFeB磁粉,对其进行了磁性能测试.实验结果表明,经热处理后的NdFeB速凝带
本文利用流体动力学方法,对直流辉光放电阴极鞘层区域氮离子输运过程进行了数值模拟研究,将离子与中性分子间的动量交换碰撞引入离子在阴极鞘层区的运动方程,讨论了不同气压、不同初始离子密度比例对氮等离子体阴极鞘层区N+、N2+离子和电子密度、电位、电场强度沿鞘层轴向分布的影响.
针对柴油机气缸套磨损失效现象,采用高能等离子束在常压下快速扫描汽缸套内表面,通过对缸套内壁进行局部硬化改性处理,获得了高硬度淬火硬化层,并对等离子改性对汽缸套表面组织和性能的影响进行了分析,工作电流越大、扫描速度越低,硬化区表层残余奥氏体含量越少;还通过工艺试验,获得了等离子改性对硬化层深度、硬度的影响规律,并对这些规律进行了理论分析.即在扫描速度不变的情况下,工作电流越大,硬化层深度越大、硬度越
本文利用等离子体增强化学气相沉积技术,在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)树脂片上沉积了含氢非晶碳(a-C:H)膜,利用可见光和紫外激发双波段的拉曼光谱分析了所沉积薄膜的结构特征,并对两种拉曼光谱进行了比较研究.测试分析结果表明,紫外拉曼光谱能够很好地屏蔽掉由于薄膜含氢量较多所带来的光致发光效应的影响,更好地表征含氢非晶碳膜的结构.
本文通过比较硼铁型粉末渗硼剂中硼铁含量的不同,研究了硼铁含量对渗硼层形成和组织性能的影响.研究表明当硼铁含量为10％～40％时,渗层组织是单相的Fe2B;硼铁含量为50％～80％时,渗层组织是双相的FeB/Fe2B.渗层平均厚度先增加后减少,在硼铁含量为60％时达到峰值为105 m.显微硬度值由表及里依次降低,且FeB相的硬度值要高于Fe2B相的硬度值.
应用电弧离子镀和非平衡磁控溅射镀膜技术相结合的方法,并使用霍尔离子源辅助,制备了过渡层为Cr、掺杂Ti和N的DLC薄膜.对DLC薄膜的表面形貌、内部结构、力学性能以及电学性能进行了分析测试,结果表明:膜层中含有sp2键和sp3键结构,硬度达到Hv(25g)2000以上,摩擦系数较小,电阻高于2兆欧.
中频反应磁控溅射技术近年来得到了广泛地应用.采用该技术制备的Al2O3:Ce3+薄膜具有优良的蓝色发光性能.本文采用四因素四水平正交实验方法,对中频磁控溅射法制备的Al2O3:Ce3+薄膜工艺参数进行优化,得到了制备具有良好发光性能薄膜的优化条件是:掺杂浓度1.1％,溅射总压强0.4 Pa,靶基距70 mm,氧分压比9％.结果表明,中频反应磁控溅射制备的Al2O3:Ce3+具有强烈的宽带光致发光.
应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,为将来应用磁控溅射方法制备TiO2染料敏化太阳电池总结数据.通过扫描电子显微镜发现当总压强为2×10-1Pa、O2流量为15sccm、靶基距为190mm、温度为120℃的条件下,制备的TiO2薄膜的表面形貌呈现为疏松多孔的特性.因此是最有可能制备TiO2染料敏化太阳电池的工艺条件.