氧化锌基紫外光电探测器研究

来源 :第13届全国MOCVD学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ztqye
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紫外探测技术在生物医学、气体探测与分析、火焰传感及日光的紫外光照度监测等领域有广泛的潜在应用.特别是波长小于280 nm的波段太阳光由于大气中的二氧化碳、水汽、颗粒物强烈的散射和吸收,很难到达地球表面,于是该波段通常被称为日盲波段.
其他文献
随着信息技术向推动人类社会在健康、环境、安全、新价值深入发展的新技术范畴发展,传统CMOS技术不能满足所有信息系统在现实世界的各种不同需求,如无线电频率和移动电话,高压开关与模拟电路非数字的功能,汽车电子和电池充电器、传感器和执行器,至关重要的控制汽车运动的安全系统电路,这些新的电子应用领域需要发展新型功能器件与异质融合技术.
会议
GaN基HEMT在大功率和高频器件方面应用广泛.虽然目前硅衬底上生长的GaN层和AlGaN/GaN异质结外延的质量还不及在SiC衬底,但是硅衬底在降低产品成本,开发大功率器件,整合硅基光电子集成等方面极具前景.采用MOCVD在Si衬底(111)面生长了GaN/AlGaN异质结构.研究了不同缓冲层和GaN层生长条件对GaN外延层晶体质量和电阻率的影响.结果表明,通过优化生长参数能够获得表面质量好、无
Building energy-efficient and eco-friendly electronics on the mature silicon platform fueling the ever increasing demand of speed and functionality from mobile devices to data center systems has been
会议
表面等离激元(SP)是金属/介质界面上金属电子的集体振荡模式.美国加州理工的Okamoto等人报道了在LED表面的适当距离上蒸镀金属薄膜,得到了17倍光致发光(PL)的增强[1].一般地认为,SP提供了LED非辐射复合能量辐射出射的通道,而这样的通道将有效提高绿光LED及大注入条件下的LED发光效率.
会议
本报告介绍在InGaN/GaN MQWs LED中的一种新奇的波长和内量子效率关系.与传统结构相比,我们在生长每一层InGaN量子阱之前预沉积In原子.常温光致荧光谱(PL)显示随着预沉积时间的增加,LED波长向长波长方向移动;高分辨X射线衍射(HRXRD)数据表明新结构量子阱中的厚度几乎没有发生变化,但其In组分有稍微的增加,并且其晶体质量得到改善.
会议
高Al组分AlGaN材料作为新一代半导体材料,在深紫外的光谱响应具备传输信息密度高,传输速度快的特点,可满足现代高速和大容量信息传输和存储的发展需求,且具有高电子漂移速度、高热导性、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等突出优点,成为制备紫外短波长半导体发光和探测器件不可替代的材料体系.
会议
紫外线的消毒是经过百年验证的严肃科学结论.在上个世纪初1903年,丹麦科学家Niels Ryberg Finsen (1860-1904)发现了紫外线可以杀灭结核病毒,获得诺贝尔奖.经过科学家的深入研究,确认深紫外线可以将细菌的DNA或RNA基因链打碎,使其不可复制,从而达到杀菌的目的.
会议
近年来,随着GaN微波功率器件向实用化发展,GaN在高速数字和混和信号电路中的应用吸引了越来越广泛的关注,旨在充分发挥其高电子漂移速度和高击穿电压的优势,在保持高速性能的同时获得理想的电压摆幅[1].传统AlGaN/GaN异质结构中强极化效应和大导带偏移使其即使在未掺杂条件下也可获得面密度高达1013cm-2的二维电子气,成为本征的n沟道耗尽型(Depletion mode:D-mode)器件.
会议
毫米波具有波长短、频带宽等特点在高精度成像、大容量通信等领域具有重要的应用.基于半导体的固态电子器件具有体积小、可批量生产、易于集成等优点,在规模化应用方面具有很大的优势.毫米波电路对固态电子器件的频率特性提出了非常高的要求.InP基材料由于具有载流子迁移率高、能带易于剪裁等特点在毫米波甚至太赫兹领域极具优势.
会议
从半导体光电子器件基本结构的角度来看,为了同时实现高的电学注入(输出)效率和高的光提取(吸收)效率,透明电极作为重要的器件组成元素之一,一直是材料研究的重要课题并在各类光电子器件(如LED、太阳能电池、光探测器等)中获得广泛的应用.
会议