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GaAs双栅微波低噪声管抗ESD研究
GaAs双栅微波低噪声管抗ESD研究
来源 :中国电子学会可靠性分会第八届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wlxingyun
【摘 要】
:
对两种工艺结构的GaAs双栅微波低噪声管CS0563和WC54进行了抗静电放电(ESD)摸底对比试验和失效分析,发现采用了“T”型栅结构(栅柄在栅条中间引出)的CS0563的抗ESD能力比WC54差。两种器件的主要失效模式都是栅退化
【作 者】
:
来萍
【机 构】
:
部广州第五研究所
【出 处】
:
中国电子学会可靠性分会第八届学术年会
【发表日期】
:
1996年期
【关键词】
:
双栅
微波
低噪声管
抗静电放电
失效模式
失效分析
工艺结构
对比试验
栅结构
栅条
退化
损伤
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对两种工艺结构的GaAs双栅微波低噪声管CS0563和WC54进行了抗静电放电(ESD)摸底对比试验和失效分析,发现采用了“T”型栅结构(栅柄在栅条中间引出)的CS0563的抗ESD能力比WC54差。两种器件的主要失效模式都是栅退化,即横向扩展和纵向损伤。
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