【摘 要】
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氮化铝(AlN)是第三代宽禁带半导体材料之一,具有宽带隙、高熔点、高临界击穿场强、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异性质,主要应用于发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、二
【机 构】
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哈尔滨工业大学基础与交叉科学研究院哈尔滨150080哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所哈尔滨150000
【出 处】
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中国航天60周年暨第四届航天工程和高性能材料需求与应用高端论坛
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氮化铝(AlN)是第三代宽禁带半导体材料之一,具有宽带隙、高熔点、高临界击穿场强、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异性质,主要应用于发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、二次谐波发射器和表面声波等器件中。系统地研究了AlN 低维结构的生长机制,发现AlN 晶体生长遵循周期堆叠模型：以斜六边形棱柱为基本生长单元,AlN 晶体生长过程可以视为斜六边形棱柱的周期性堆叠；晶体形貌由斜六边形棱柱的厚度和沿轴向的旋转角度决定；随着生长温度的升高,AlN 形貌从晶须逐渐向晶粒转变。同时研究了AlN 纳米螺旋的长余辉性质。研究结果表明：AlN 纳米螺旋中存在着氮空位与铝间隙的复合缺陷(VNAli),是导致长余辉效应的直接原因,长余辉效应寿命可达十分钟以上。
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