【摘 要】
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本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,在低温下(525℃)进行多晶硅薄膜的外延生长,研究了氢在多晶硅薄膜低温外延中的作用.制备的硅薄膜Raman谱中几乎观察不到480cm-1的非晶
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本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,在低温下(525℃)进行多晶硅薄膜的外延生长,研究了氢在多晶硅薄膜低温外延中的作用.制备的硅薄膜Raman谱中几乎观察不到480cm-1的非晶散射峰,表明在525℃衬底温度下,硅薄膜高度晶化.在氢稀释度大于90％的条件下,Raman谱中晶硅峰(520cm-1)半高宽为4.4cm-1,与单晶硅相近.XRD测试表明,高氢稀释度条件下,多晶硅薄膜显示出与硅衬底相同的(100)的择优取向.SEM截面图初步表明,氢稀释度的增加有利于提高多晶硅薄膜致密度.
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