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本文采用有限元方法对CZ法单晶硅生长炉中的热量、动量和质量输运过程进行了全局数值分析.建立了单晶硅CZ法生长的全局分析的数学模型.利用所开发的全局分析程序较为详细地研究了气体导流板对近自由表面熔体的流动特性,对熔体中氧的分布和生长界面氧的含量的影响.得到了无气体导流板的传统生长炉和有气体导流板的改进型炉子的一些传热、传质和动量传递的特性和规律.为生长高质量单晶硅提供了有重要价值的数值依据.