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铁电薄膜和半导体集成，产生了阀一代不挥发存储器。由于其功耗之小，存取速度之快，可读写次数之多以及耐辐照能力强，是目前任何一种半导体不挥发存储器所不及的。该文将介绍铁电存储器的原理，发展动向及应用，并概述大规模商业应用所面临的若干材料，工艺和器件失效现象及有关机制。
铁电存储器的进展及若干问题
【摘 要】
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铁电薄膜和半导体集成，产生了阀一代不挥发存储器。由于其功耗之小，存取速度之快，可读写次数之多以及耐辐照能力强，是目前任何一种半导体不挥发存储器所不及的。该文将介绍铁电存
【机 构】
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科学院上海硅酸盐研究所
【出 处】
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第八届全国电介质物理学术会议
【发表日期】
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1998年期
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