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自旋电子学的发展，迫切需要设计新的材料来操纵自旋自由度.通常电子自旋极化总是与磁性共存，由于磁性材料磁畴的存在，可能会影响纯的自旋流的产生.基于理论计算，我们通过过渡金属掺杂二维材料的方式，提出一种零磁矩反铁磁自旋极化半导体材料的设计概念.我们命名这种材料为Half-semiconductor antiferromagnets.该新型磁性系统的提出不但丰富了现有磁序的基本认识，同时也为实验上制备并超控自旋流提供了新的方案.