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本文利用掠入射同步辐射X射线衍射(GIXD)技术测量和表征了Al<,0.22>Ga<,0.78>N/GaN异质结构的微应变状态.
AlGaNGaN异质结构的掠入射同步辐射衍射研究
【摘 要】
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本文利用掠入射同步辐射X射线衍射(GIXD)技术测量和表征了AlGaN/GaN异质结构的微应变状态.
【机 构】
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南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系(南京)中国科学院高能物理研究所(北京)
【出 处】
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第八届全国X射线衍射学术会议
【发表日期】
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2003年10期
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